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HMC6147ALC5A/HMC6147ALC5ATR小型MMIC I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:33:00 HMC6147ALC5A就是款家用suvsuv型GaAs MMIC I/Q下直流變頻空調器，適用無引腳RoHS兼容型SMT封口。 該功率器件出具13 dB小信息轉移增益值，具有著25 dBc邊帶緩和。 HMC6147ALC5A適用低低頻噪音放縮器來驅使器I/Q混頻器，LO由X2倍頻器驅使器。

HMC6789BLC5A/HMC6789BLC5ATR陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝 ADI現貨

2018-07-03 10:27:08 HMC6789BLC5A就是一款緊奏型型GaAs MMIC I/Q下交流伺服帶動器，選取合適RoHS標準單位的12引腳、陶瓷圖片無鉛集成塊媒介(LCC)打包封裝。該電子器件出示14 dB的小數字信號切換增益值和25 dBc的鏡像文件克制耐磨性。HMC6789BLC5A選取低嗓聲圖像運放電路帶動I/Q混頻器，中間LO由x2乘法器帶動

HMC1065LP4E/HMC1065LP4ETR鏡像抑制低噪聲變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:19:31 HMC1065LP4E是一種款主體工程型GaAs MMIC映射緩和低噪音污染變頻柜器，應用完全符合RoHS標淮的無鉛SMT封裝類型。 該功率器件提拱13 dB的小預警裝換增益控制，17 dBc的映射緩和和-2 dBm輸人IP3。 HMC1065LP4E靈活運用RF LNA和由有源X2倍頻器驅動包的I/Q混頻器運行。

HMC1113LP5E/HMC1113LP5ETR表貼封裝緊湊型下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:16:58 HMC1113LP5E一款緊奏型型GaAs MMIC I/Q下變頻電機器，用無鉛5 x 5 mm低壓力注塑工藝金屬表貼芯片封裝。 該電子元器件能提供12 dB的小移動信號轉為增益控制、1.8 dB的環境噪聲指數公式和25 dBc的系統鏡像軟件調控機械性能。 HMC1113LP5E用LNA，后接由LO減慢器變大器動力的系統鏡像軟件調控混頻器。

HMC951BLP4E/HMC951BLP4ETR小型 I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-02 15:16:32 HMC951B是款密集型GaAs MMIC I/Q下變頻式器，選取合乎RoHS標準規范的無引腳SMT二極管封裝。 該元器在全頻段區域內保證13 dB的小無線信號切換增益值、2 dB的噪聲源數值和24 dB的映射遏制性能指標。 HMC951B選取LNA，后接由LO保護器變小器推動的映射遏制混頻器。

HMC8108LC5/HMC8108LC5TR緊湊型X頻段單芯片低噪聲轉換器 ADI現貨

2018-07-02 15:06:38 HMC8108也是款緊奏型型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單電子器件紅外光集成式電路板(MMIC)同相正交(I/Q)低嗓聲轉化成器，使用符合規則RoHS規則的瓷磚無鉛電子器件平臺芯片封裝。HMC8108將的范圍為9 GHz至10 GHz的頻射(RF)讀取的4g信號轉化成為讀取中端60 MHz典例單端中頻(IF)的4g信號。

HMC1056LP4BE/HMC1056LP4BETR無鉛SMT封裝混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:53:27 HMC1056LP4BE是款密集型I/Q MMIC混頻器，選取“無鉛”SMT封裝形式，都可以作系統鏡像促使混頻器或一側隨身攜帶交流伺服。 該混頻器選取好幾個規范標準Hittite雙均衡性混頻器單位和一款 70度相溶集成電路芯片，均選取GaAs Schottky肖特基二極管的工藝營造。

HMC1063LP3E/HMC1063LP3ETR緊湊型I/Q MMIC混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:41:15 HMC1063LP3E一款家用suv轎車型I/Q MMIC混頻器，通過“無鉛”SMT封裝，可以作鏡像系統限制混頻器或單向帶著變頻器。 該混頻器通過幾個準則Hittite雙均衡性混頻器單無和另一個直角混和元器件封裝，均通過GaAs Schottky肖特基二極管流程制造技術。

Qorvo推出QPM2637/QPM1002用于雷達應用的超緊湊X波段FEM Qorvo現貨代理商

2018-07-02 14:30:32 Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 設立在Qorvo的氮化鎵新技術應用基本條件之外，該新技術應用可進行越來越高的能力，可以信賴性，工作效率和可生活工作性，并可避免浪費尺寸圖，單重和價格。不同FEM將關鍵因素的T / R控制器工作集成型到一緊促的裝封中：T / R旋鈕，工作效率放小器和工作噪音小污染放小器（LNA）。

HMC520ALC4/HMC520ALC4TR單芯片同相正交(I/Q)混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:55:30 HMC520A就是款砷化鎵(GaAs)單電子元器件封裝微波通信集合集成運放(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，選擇符合要求RoHS標準單位的24引腳、瓷器無鉛電子元器件封裝形式(LCC)封裝類型。該元器件封裝可以選擇作鏡象減弱混頻器或單向加上直流變頻空調器。

HMC8191LC4/HMC8191LC4TR無源混頻器芯片 ADI現貨代理商

2018-07-02 11:48:52 HMC8191不是款無源帶寬起步I/Q單融合塊微波通信融合線路(MMIC)混頻器，能用的 作發送到器鏡象抑制作用混頻器或發射衛星器單側喊上定頻器。HMC8191含有6 GHz至26.5 GHz的rf射頻(RF)和本振(LO)區間與DC至5 GHz的中頻(IF)帶寬起步，是是和應該寬頻點區間

HMC524ALC3B/HMC524ALC3BTR緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:41:18 HMC524ALC3B是這個款狹窄型GaAs MMIC I/Q混頻器，用于非常符合RoHS規范的無引腳SMT陶瓷廠家封裝形式。 該元元器要用作鏡像文件限制混頻器或一側帶變頻式器。 該混頻器用于兩人規范雙均衡性混頻器單元式和這個九十度混合物元元器，均用于GaAs MESFET技藝生產。

HMC498LC4/HMC498LC4TR高動態范圍功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 13:47:59 HMC498LC4不是款高日常動態使用使用范圍GaAs PHEMT MMIC適中工率拖動器，運用無引腳“無鉛”SMT封裝類型。 該拖動器還具有17至24 GHz的操作使用使用范圍，供給22 dB增加收益、+26 dBm達到飽和狀態工率和23% PAE（+5V電源模塊電壓電流）。

HMC383LC4/HMC383LC4TR通用MMIC驅動放大器 ADI現貨代理商

2018-06-29 13:42:06 HMC383LC4是一個款通用版GaAs PHEMT MMIC驅動包放小器，分為適合RoHS標的無引腳SMT打包封裝。 該放小器分為+5V單電源開關，收獲為15 dB，是處于飽和狀態馬力為+18 dBm。 在整一個工作上頻寬內有相符的收獲和打出馬力

HMC633LC4/HMC633LC4TR驅動放大器頻率5.5至17 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:41:51 HMC633LC4有的是款GaAs PHEMT MMIC驅動軟件放小器，選擇無鉛4x4 mm表貼陶瓷廠家封裝，操作概率范圍內為5.5至17 GHz。 該放小器可以提供多達30 dB的增益控制、+30 dBm模擬打印輸出IP3及+23 dBm的模擬打印輸出電率

HMC634LC4/HMC634LC4TR驅動放大器陶瓷表貼封裝 ADI現貨

2018-06-29 11:34:17 HMC634LC4就是款GaAs PHEMT MMIC驅程放縮器，選擇無鉛4x4 mm瓷質表貼打包封裝，運行幀率規模為5至20 GHz。 該放縮器具備將高達21 dB的收獲、+29 dBm傷害IP3及+22 dBm的傷害功效（1 dB收獲解壓縮時），能耗為180 mA（+5V外接電源）。

HMC498/HMC498-SX功率放大器頻率范圍為17至24 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:21:07 HMC498不是款高技術性范疇GaAs PHEMT MMIC輸出變小器，任務幀率范疇為17至24 GHz。 HMC498供應24 dB增益控制，過飽和輸出為+27 dBm，電源開關電流電壓為+5V (25% PAE)。 會因為長寬較小，HMC498變小器可快速集成式到多單片機芯片控制模塊(MCM)中。

HMC-APH596/HMC-APH596-SX兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 11:18:34 HMC-APH596不是款有級GaAs HEMT MMIC中級馬力調大器，工作上平率比率為16至33 GHz。 HMC-APH596帶來了17 dB增益控制，按照+5V外接電源線電壓時具備著+24 dBm輸出的馬力（1 dB進行壓縮）。

RFGA2012低功耗線性放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 17:16:12 Qorvo的RFGA2012專制作于以輕柔的的交流電最大功率構建高OIP3。超線性網絡功效已在150MHz至3GHz的標準規定頻段中到材料。RFGA2012擁有VBIAS引腳，能夠用戶的應對某追求調優靜態數據直流電壓。VBIAS引腳也可以選擇作掉電引腳。

RFGA0024高性能InGaP HBT MMIC放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 17:03:26 Qorvo的RFGA0024一款高效能InGaP HBT MMIC調小器。RFGA0024的組織結構有源偏置電路設計合法調小器進行從5V電原工作任務，并打造平衡的功率隨工作溫度轉變處以理Beta轉變。這輛達林頓調小器的組織結構適配內阻為50歐姆，特別適宜都要小長寬高和更少其他元器件的選用。

RFGA0014低成本寬帶增益MMIC放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 16:46:56 Qorvo的RFGA0014是一個款高的性能InGaP HBT MMIC擴大器。RFGA0014的內管理有源偏置電線能擴大器進行從5V電源模塊工作中，并展示 平穩的電壓隨溫度轉變 并罰理Beta轉變 。是一款達林頓擴大器的內管理符合內阻為50歐姆，比較適宜需用小寬度和更少靜態組件的應該用。

RF5633驅動器級線性功率放大器IC 5 V線性功率放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:39:52 Qorvo的RF5633是專為之后或安裝軟啟動級使用來結構設計的平滑電所在工作電壓放小器IC。該器材適用含有側面接地極的無引線單片機芯片的載體。RF5633來結構設計應用于在范圍之內廣的環境溫度和電所在工作電壓所在范圍之內內實現平滑。外鏈相配為2個頻段的所在電所在工作電壓給出能調性。

RF5623中等線性功率放大器IC Qorvo現貨

2018-06-28 16:29:31 Qorvo的RF5623是專為適中公率用設計方案的線性網絡公率縮放器IC。該元器件封裝所采用好的InGaP異質結雙極氯化鈉晶體管（HBT）技術制造出，設計方案用來作為802.16e衛星發射器的終究頻射縮放器。

RF3827高線性度的RF放大器IC 線性通用放大器Qorvo現貨

2018-06-28 16:21:13 Qorvo的RF3827是一個款互通，低利潤，高線型度的RF擴大器IC。該電子元器件按照砷化鎵施工工藝制造出，按照3mm x 3mm，16引腳QFN封裝類型。它比較比較適合可作線型/低躁音擴大器，在這其中OIP3等于638dBm，躁音因子需小于1.5dB。

RF3315高效率放大器 200 - 2200 MHz寬帶高線性度放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 16:06:31 Qorvo的RF3315是一個款高率砷化鎵異質結雙極尖晶石管（HBT）調小器，用到低生產成本單單從表面貼裝芯片封裝。該調小器越來越適宜于需要200MHz至3GHz頻繁 面積內的高線性網絡度和低的噪音彈性系數的廣泛應用。

RF3223表面貼裝封裝500 - 2000 MHz低噪聲，高線性驅動放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:03:29 Qorvo的RF3223不是款利用低價格外壁貼裝芯片芯片封裝的高效率的GaAs異質結雙極硫化鋅管（HBT）擴大器。該擴大器十分的通過到必須500MHz至3GHz頻繁領域內的高非線性度和低燥聲指數的操作。RF3223利用單5V24v電源輸電，利用城市發展的3mm x 3mm QFN芯片芯片封裝。

RF3220高效率砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）驅動放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 15:38:32 Qorvo的RF3220就是款高效能率砷化鎵異質結雙極納米線管（HBT）變大器，使用低資金界面貼裝打包封口。該變大器非常的實適用可以500MHz至3GHz規律位置內的高線型度和低燥聲比率的應該用。RF3220使用單5V電源適配器供電公司，使用第三產業的3mm x 3mm QFN打包封口。

RF2162高功率高效率線性放大器IC Qorvo 3 V線性放大器現貨代理商

2018-06-28 15:23:18 Qorvo的RF2162是重要性3V手握式設計化的高額定功率科學規范率波形變成器IC。該元件用于最先進的砷化鎵異質結雙極氯化鈉晶體管（HBT）制作工藝加工，設計方案用到雙經濟模式3V CDMA / AMPS手握式字母蜂窩設計擴頻設計化和另外采用中的最中RF變成器。 800MHz至960MHz頻段。

QPM1000集成式限幅器/ LNA高性能低噪聲放大器 Qorvo現貨出售

2018-06-28 15:20:09 Qorvo QPM1000也是款模塊化系統式限幅器/ LNA，可在2-20GHz的率區間內展示 數據穩盈，高使用特性。QPM1000在收獲掌握下展示 數據17 dB的小無線信號收獲，在整體的率區間內兼具1.7 - 4 dB的低頻噪音彈性系數，> 18 dBm P1dB。于此，模塊化系統限幅器展示 數據獨角獸高達4 W的入射耗油率的穩盈性質量，而沒較低使用特性。

美國AMCOM 微波設計制造公司 AMCOM代理商

2018-06-28 14:57:18 AMCOM解散于一九九六年17月，由一幫人在紅外光射頻三極管裝修制定制作和紅外光射頻元件制造出新技術問題相關經驗多種的紅外光射頻裝修制定制作師組合。它設在英國馬里西安蓋瑟斯堡，距華盛頓東北約20英里。該企業最為頂尖的紅外光射頻裝修制定制作團隊具有盛譽，該團隊具有瓦數FET，MMIC瓦數放小器各種帶RF和DC接連器的高瓦數放小器方案，這么多方案已籌備性價比高于紅外光射頻系統。