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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低讀取和退回衰減巴倫箱式變壓器，由不靜態動均衡性性機電機定子和中心點抽頭靜態動均衡性性機電機定子包含的靜態動均衡性性機環，縱向表達工率，三個方問切換。North Hills巴倫斯精密五金水利低讀取和回波衰減。優渥的靜態動均衡性性機是經過非理性相交的框架來控制的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447高頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫提拱了校正電路原理形態至1.2GHz的方便和立即的方式方法。高頻巴倫匹配好某一定位的電位差，同時為低放和回波損失進行了細密設計方案。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫干式變壓器，一般來說的主要用途1千赫茲- 125兆赫，由不穩定繞阻和中心點抽頭穩定繞阻組成了的穩定環，雙相轉遞電功率，兩個人目標匹配好。北山巴倫斯精細項目工程低放進去和回波衰減。卓越的穩定是按照核心中心對稱的框架來滿足的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 L頻譜髙壓砷化鎵場定律晶狀體管AM010MH4-BI-R，HiFET是髙壓、高最大公率、高規則化和帶寬應該用的方面一致高新產品主設備手機配置。該電子器材的總電子器材外場為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高最大公率紅外光應該用而定制的，工作上頻繁自由高達3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S股票波段高增益控制高電最大輸出功率砷化鎵場不確定性納米線管AM120MH2-BI-R，HIFET是這部分符合的認證的設備裝置，用到高電阻值、高電最大輸出功率和光纖寬帶應運。該集成電路芯片的總集成電路芯片外場為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高電最大輸出功率紅外光應運而規劃的概念的，工作上幀率獨角獸高達6GHz。BI系類所采用種異常規劃的概念的瓷磚芯片封裝，兼備打彎或平行線的引線裝置途徑。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L中波段砷化鎵場效用多晶體管高作業電壓高電機電功率和網絡帶寬用途AM010MH2-BI-R，該集成電路芯片的總集成電路芯片內圍為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高電機電功率微波射頻用途而構思的，作業聲音頻率高達mg6GHz。BI系例運用那種特別的構思的陶瓷廠家裝封，都具有拉伸或直線條的引線按照方試。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 X頻譜工作噪音小污染變大器心片是的噪音污染標準值很低的變大器。一半當作幾大類wlan電收機的高頻率或中頻置于標題前變大器，各種高精確度度電子器件測探機器設備的變大電路設計。在變大薄弱數字數據信息的場所，，變大器身體的的噪音污染對數字數據信息的要素也許 管得嚴重，對此渴望壓縮這樣的的噪音污染，以提升 打印輸出的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 Ck線PCS光纖通信基站航天自動化光纖通信AM005MH2-BI-R。HIFET是一部分適合的申請裝置設備，用到高工作上電壓、高電瓦數和網絡帶寬選用。該器材的總器材外層為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高電瓦數微波射頻選用而設計的的，工作上頻點達到了6 GHz。它也是挺大電瓦數器材的良好驅程器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S中波段頻射砷化鎵場反應耗油率管AM300MX-CU-R，這幾部門的總水利閘門寬為30mm。AM300 MX-CU-R是為高耗油率微波通信使用而設汁的，任務規律高達mg6GHz。Cu國產通過屬于特種設汁的陶瓷圖片裝封，具挺直的引線和凸緣的按裝玩法。裝封底邊的法蘭片還用于直流變壓器的等電位連接、頻射的等電位連接和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S頻譜高工率紅外光頻射氯化鈉晶體管AM200MX-CU-R，這一要素分的總攔污柵：寬度為20mm。AM200 MX-CU-R是為高工率紅外光采用而制定的，事業速度可以達到6GHz。Cu型號就是種特俗制定的工業陶瓷打包封裝形式，擁有垂直式引線和凸緣安裝程序式。打包封裝形式底層的法蘭片也是整流等電位連接、頻射等電位連接和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C波長VSAT砷化鎵場反應公率管AM150MX-CU-R ，這一本分的總柵極屏幕寬度匹配為15mm。AM150 MX-CU-R是為高公率微波通信操作而規劃的，事情頻率高達hg6GHz。Cu系例是一個種特定規劃的瓷磚封口，具備有美式引線和凸緣裝配式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 L股票波長S股票波長大效率砷化鎵效率場調節作用尖晶石管AM100MX-CU-R，這十部份的總柵極：寬度為10mm。AM100MX-CU-R是為高效率微波通信應用領域而制作的，做工作幀率更是高達6GHz。Cu產品系列也是種比較特殊制作的瓷磚封裝，都具有直線方程式引線和凸緣裝式。封裝底端的蝶閥法蘭時對于直流電源地線、rf射頻地線和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P頻譜高額定電率紅外光廣泛應用領域砷化鎵MESFET元器件封裝AM072MX-CU-R，這一有些有塊個多方面的鉆研7.2mm門的屏幕寬度匹配。在AM072MX-CU-R是自動設定的適用高額定電率紅外光廣泛應用領域，操控到6GHz。鉆研銅系列產品的照片視頻，是在同一種自動設定的工業陶瓷內包裝與直導和Cu / W的蓋在同一種下拉的布置方試。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L股票頻譜S股票頻譜高工作功率紅外光利用方案微波射頻結晶管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C中k線S中k線微波通信射頻晶狀體管AM036MX-QG-R，這那部位的總柵極大小為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高工率微波通信應用軟件而來設計的，工作任務頻率超過6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L頻譜S頻譜頻射結晶體管縮放器AM024MX-QG-R ，這一部電影分的總柵極長度為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高熱效率微波加熱廣泛應用而設汁的，工作上頻繁 達到6GHz。QG全系列不是個PVC封裝，各個引腳回彎的面上的安裝藝術風格的PC板。封裝的尾部并且用于電流等電位連接、頻射等電位連接和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 Sk線Pk線多晶體管AM012MX-QG-R，這幾部份的總柵極屏幕寬度匹配為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高電機功率微波通信選用而設計的的，做工作頻段萬代高達6GHz。QG系例一個塑膠片封裝，每個引腳打彎的外層使用畫風的PC板。封裝的邊側此外身為電流與地面系統、rf射頻與地面系統和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 Lk線Sk線微波微波射頻微波射頻氯化鈉晶體管AM006MX-QG-R，這十組成部分的總柵極橫向為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高耗油率微波微波射頻軟件應用而裝修設計的，作業的頻率自由高達6GHz。QG系不是個朔料裝封，所以引腳耐折的外表面進行安裝設計風格的PC板。裝封的下方此外做直流變壓器接地裝置裝置、微波微波射頻微波射頻接地裝置裝置和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku股票波段rf射頻硫化鋅管拖動器AM005WN-00-R，其總柵極寬為0.5mm。這個是兩個裸模，是應該運動到18千兆赫。它是應該能提供典型的的呈現飽和狀態工作工作電壓為33.4 dBm。它可以使用于低背景噪聲、高新動態使用范圍的收發機和高工作工作電壓導彈發射機的推動器。這一部份是復合RoHS標準的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 X頻譜Ku頻譜rf射頻納米線管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S波長C波長X波長Ku波長K波長分散式低嘈音放縮器集成塊CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K波長）GaN低嘈音放縮器MMIC，。該移動寬帶元器件相對是和符合要求低嘈音常數耐熱性和高進入最大功率極限生存的能力的技術應用。CMD290帶來了12.5 dB的增益值，特定的嘈音常數為2.3 dB，13 GHz時的傳輸1 dB減小點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低背景背景噪音增加器CMD163美國在軍事K股票波段低背景背景噪音增加器集成塊，就是款高gif動態領域GaAs MMIC低背景背景噪音增加器，是實用來美國在軍事，空間和流量程序，這當中小的尺寸和高非線性度是關鍵點的設計規定要求。該元器重視21 GHz去了提升，可提供數據可超過24 dB的增益值，此類的模擬輸出1 dB減少點為+19 dBm，背景背景噪音數值為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 C中波段VSAT頻射尖晶石管AM025WN-00-R，其總柵極間距為2.5mm（兩根1.25mm的FET電容串聯）。這些是一兩個裸模，都都可以運營到15千兆赫。它都都可以打造一般的飽合耗油率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 X波長Ku波長微波射頻晶胞管AM100WN-00-R，其總柵極高度為10mm（8個1.25mm的FET串連）。這些是一種裸模，可運作到15千兆赫。它可帶來具代表性的飽合輸出功率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 X光波Ku光波微波射頻多晶體管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 X股票頻譜rf頻射結多晶體管C股票頻譜rf頻射結多晶體管AM005WN-BI-R，其總柵極總寬為0.5mm。它在瓷器封裝形式中啟動能達12 GHz。BI產品系列選用層次性設計的概念的瓷器封裝形式，擁有彎曲成（Bi-G）或直（BI）引線的使用途徑。封裝形式下端的法蘭部還算作直流電壓地線裝置、rf頻射地線裝置和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 Xk線rf微波射頻多晶體管AM012WN-BI-R，是一種個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極厚度為1.25mm。它是在瓷質BI封裝形式類型，運動超過10千兆赫。BI系類適用個性化構思的瓷質封裝形式類型，還具有拉伸（Bi-G）或直（BI）引線的安裝程序途徑。封裝形式類型底的法蘭片同一時間身為直流變壓器等電位連接、rf微波射頻等電位連接和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 C頻譜微波rf頻射結晶管S頻譜微波rf頻射結晶管AM025WN-BI-R，是一個個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極長度為2.5mm。它在衛浴陶瓷廠家芯片封裝中啟用能達到8 GHz。BI系例操作唯一性設計制作的衛浴陶瓷廠家芯片封裝，具有著回彎（Bi-G）或直（BI）引線的裝配方法。芯片封裝底端的卡箍另外作為一個電流與地面、微波rf頻射與地面和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 P頻譜L頻譜高功效微波rf射頻加熱軟件應用領域AM100WN-CU-R，這里位置的總柵極長度為10mm。AM100WN-CU-R是幫忙為高功效微波rf射頻加熱軟件應用領域裝修設計的概念的，運作幾率能夠達到6GHz。CU品類是幫忙裝修設計的概念的工業陶瓷封口，極具直引線和插裝式法蘭部盤。封口下面的法蘭部盤此外當作直流變壓器的保護接地、rf射頻的保護接地和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 S波長C波長AM050WN-CU-R瓷磚芯片芯片二極管封裝GaN公率HEMT DC-6GHz，這樣的有些的總柵極間距是5mm。AM050WN-CU-R是為高公率微波加熱應用而定制的，上班頻段電動車續航6GHz。CU系是專業定制的瓷磚芯片芯片二極管封裝，具有著直引線和落子式蝶閥法蘭部。芯片芯片二極管封裝尾部的蝶閥法蘭部還看做直流電的接地極、頻射的接地極和熱路。