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描述
AMCOM的AM120 MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙系的一本分。HIFET是組成一部分識別的專屬的設備設置，于高端電壓、高運行效率和帶寬app。該電子元件的總電子元件外層為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高運行效率微波通信app而來設計制作的，運行頻段可高達6GHz。BI系適用其中一種特有來設計制作的瓷器裝封形式，更具彎曲成或切線的引線按照手段。裝封形式尾部的法蘭片還做為整流接地系統極、微波射頻接地系統極和熱路。這家HiFET是具有RoHS標準規范的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM120MH2-BI-R	1周	80

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特征
14伏
高達6 GHz的高頻操作
高增益：g= 14dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝39 dBm @ 2GHz
高線性度：IP3＝49 dBm @ 2GHz
用做高效散熱管的陶瓷廠家打包封裝

應用
寬帶應用
高電壓10～14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和HyLLA
航空電子通信