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L光波砷化鎵場滯后效應結晶管高電流電壓高電機功率和光纖寬帶用途AM010MH2-BI-R

頒布日期:2018-11-05 15:17:07     訪問:1749

描述
AMCOM的AM010MH2-Bi-R是GaAs HIFET雙系列的一部分。HIFET是部分匹配的專利設備配置,用于高電壓、高功率和寬帶應用。該器件的總器件外圍為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高功率微波應用而設計的,工作頻率高達6GHz。BI系列采用一種特殊設計的陶瓷封裝,具有彎曲或直線的引線安裝方式。這個封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。這個HiFET是符合RoHS標準的。

品牌 型號 貨期 庫存
AMCOM AM010MH2-BI-R 1周 100
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特征
14伏排水拜厄斯
寬帶部分匹配:直流-2.4GHz
高達6 GHz的高頻操作
高增益:g= 15dB @ 3.5GHz
高功率:P1dB=28 dBm @ 3.5GHz
高線性度:IP3=43dBm @ 3.5GHz
適用合理熱管散熱的瓷磚裝封


應用
寬帶應用
高電壓10~14V
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信
推建方式
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