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描述
AMCOM的AM025WN-Bi-R都是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極凈寬為2.5mm。它在陶瓷廠家制品封裝中運動電動車續航8 GHz。BI題材用到特色規劃的陶瓷廠家制品封裝，都具有屈曲（Bi-G）或直（BI）引線的安轉方式。封裝底下的法蘭片一起作交流電保護接地極、微波射頻保護接地極和熱路。這部電影分是達到RoHS標準化的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM025WN-BI-R	1周	50

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特征
高達8 GHz的高頻操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏極＝56% @ 3 GHz。
表面貼裝
高效蒸發器的上端

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機