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ADRF5132是款高馬力、光反射、0.7 GHz至5.0 GHz、硅、單極、雙擲（SPDT）散射按鈕開關，操作無電線界面貼裝芯片封裝表現形式。該互換機相當非常適合高熱效率和蜂窩狀基本知識設備建成運用，如長時候發展歷程（LTE）通信基站設配。ADRF5132要具備35 dBm LTE的高工作功率加工率（在105°C下的平均值先進典型值），2.7 GHz下0.6 dB的低復制到消耗的資金，65 dBm的投入三階截距（其最典型的值）和42.5 dBm的0.1 dB縮減（P0.1dB）。

ADRF5132板上開關電源三極管在5V的單調正外接電源電壓電流和1.1mA的關鍵開關電源電流量下作業，使ADRF5132成了針對pin電感的電開關的佳化帶替品。

ADRF5132常用無法RoHS條件的家用suv型16管腳3 mm×3 mmLFCSP封口手段。

本質特征

光反射，50?設計的概念

低復制到耗損率：2.7 GHz時典型案例為0.6 dB

TCASE=105°C時的高瓦數處理好

長時（>10年運作）

最大的額定功率：43 dBm

CW熱效率：38 dBm

LTE閥值電功率（8 dB規范桿數）：35 dBm

單活動（<10秒控制）

LTE基線最大功率（8 dB標淮桿數）：41 dBm

高曲線度

P0.1dB:42.5 dBm主要值

IP3:2.0 GHz至4.0 GHz時的主要表現數值65 dBm

ESD額定功率值

HBM:2 kV，2級

CDM：1.25 kV

單正電：5V

正方向有效控制，兼容CMOS/TTL

16管腳，3mm×3mm LFCSP封裝方法

軟件應用

蜂窩狀/4G根本服務設施基本建設

遠程互聯網地基措施投建

攻沙和高準確性使用

測量設備

Pin場效應管更換

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