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CREE的CMPA1D1E030D是款無定形碳硅單晶硅上要根據氮化鎵 (GaN) 高電子為了滿足電子時代發展的需求，轉入率晶胞管 (HEMT) 的單支徽波結合集成運放 (MMIC)；CMPA1D1E030D應用0.25μm柵極外形尺寸工藝設備技術。與硅比較較，GaN-on-SiC擁有更加的高品質的能；砷化鎵或硅基氮化鎵；包含了更加高的擊穿電壓場強；更加高的過剩電子漂移熱效率和更加高的傳熱常數。

表現形式

27 dB 小無線信號增加收益值

30 W 典型案例 PSAT

作業電流值高至 40 V

高電壓擊穿場強

溫度過高度超控

選用方面

定位通迅上行下行鏈接

物料要求

描述英文：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 輸出功率擴大器

低于規律(MHz)：13750

最低規律(MHz)：14500

較高值打出工作電壓(W)：30

收獲值(dB)：26.0

轉化率（％）：25

運作電流(V)：40

樣式：MMIC 裸片

封裝形式品目：Die

技巧：GaN-on-SiC

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