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CREE的CMPA1D1E025F是款氧化硅多晶硅上跟據氮化鎵 (GaN) 高光電子轉遷率納米線管 (HEMT) 的單面紅外光集合控制電路 (MMIC)；挑選 0.25 μm 柵極的尺寸做的工藝。與硅較之較，GaN-on-SiC都具有進一步市場大的的耐熱性；砷化鎵或硅基氮化鎵；收錄會高的電壓擊穿場強；會高的過飽和光學漂移有效率和會高的傳熱指數公式。CMPA1D1E025 所用 10 接地線；25 mm x 9.9 mm；金屬質/陶瓷廠家活套法蘭盤封裝類型并能控制最人生理想的電氣開關機和熱不穩判定性。

有特點

24 dB 小電磁波增益值值

40 W 具代表性電脈沖信息 PSAT

功率電阻值高至 40 V

OQPSK 下 20 W 波形工作效率

A/B類高增益控制；高使用率率 50 Ω MMIC Ku 次數段高耗油率變成器

應用軟件行業

軍用用和民用 Ku k線汽車雷達

護膚品標準

形容：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 中波段 GaN MMIC 電功率調小器

很低率(MHz)：13500

最多頻段(MHz)：14500

高達值讀取工作電壓(W)：25

增益控制值(dB)：26.0

事情效果（％）：16

額定的電阻值(V)：40

業務類型：裝封的MMIC

二極管封裝品類：活套法蘭盤

枝術：GaN-on-SiC

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