亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区

LINEAR GaAsFET 偏置情況器

發布新聞用時:2021-08-30 16:59:55     閱覽:2215

GaAsFET(砷化鎵場效應晶體管)是高頻、超高頻、微波無線電頻下功放電路的場效應晶體管。GaAsFET憑借其靈敏性而舉世聞名,其形成的內部噪聲極少。這主要是由于砷化鎵擁有與眾不同的載流子遷移率。電子特別容易通過半導體材料。GaAsFET是一款耗盡型機械設備,這就代表著當在操縱電極門沒有電壓時它便會導電,當在門側產生電壓時信道傳導率便會降低。在弱數據信號無線通信和廣播接收中,GaAsFET優于其他類型的場效晶體管。

LINEAR作為了完整詳細性的進行充電泵DC-DC穩壓電源的產品,特意適用于也可以成為GaAsFET偏置發生器。

山東市立維創展創新科技是ADI \ LINEAR的銷售商商,以銷售商代銷存貨外盤ADI \ LINEAR為好產品優劣勢,可提高本日打包發貨服務管理,熱烈歡迎咨詢公司。

 LINEAR GaAsFET 偏置發生器

成品機型

Vin (min)

Vin (max)

Output Current (typ)

Output Voltage

Isupply (typ)

Frequency (typ)


V

V

A


A

Hz

LTC1261L

2.7

5.25

20m

-4.5V, -4V, Adj

650μ

650k

LTC1550L

2.7

5.25

20m

-2.5V, -2V, -4.1V, -4V, Adj

4.2m

900k

LTC1551L

2.7

5.25

20m

-4.1V

3.5m

900k

LTC1550

2.7

5.25

20m

-1.5V, -2.5V, -2V, -4.1V, -4.5V, Adj

4.2m

900k

LTC1551

2.7

5.25

20m

-4.1V

4.2m

900k

LTC1261

3

8

12m

-3V, -4.5V, -4V, -5V, Adj

600μ

550k


推見房產資訊
  • CHB150W8-36S15N:完美替代IQ32150HPC11NRS的國產工業電源模塊之選
    CHB150W8-36S15N:完美替代IQ32150HPC11NRS的國產工業電源模塊之選 2025-08-19 16:38:44 化工級24v電源模組設計中,SYNQOR 的 IQ32150HPC11NRS 雖特性專業技能,但交房周期長長、進貨人工成本太高。國產系列的 CHB150W8-36S15N 模組與之至關重要技術參數同類,如輸入效果工作電壓、芯片封裝長度、護理作用等
  • ?ABR300系列工業級高性能 AC-DC ITE電源模塊
    ?ABR300系列工業級高性能 AC-DC ITE電源模塊 2025-08-13 16:31:34 ABR300 全系列實業級高特性 AC-DC ITE 電功能由臺灣 ARCH Electronics 開售,固定輸出精度工作效率 300W,用于帶底板磚塊式封裝類型,格局密集穩固、以便裝,散熱處理。