AM012WN-00-R是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總間距為1.25毫米(mm)。它不是個裸模,可實操達到15千兆赫。它可不可以給予主要表現的37.7 dBm的趨于穩定效率。此一部分符合標準RoHS。
基本特征
可高達15GHz的高頻率的操作
在2GHz時增益控制=22dB
PAE=55%
P5dB=37.7dBm
適用
蜂窩有線信號塔
無線wifi無線局域網、中繼器
C波長VSAT
聲納
測評設備
軍事
微波加熱元電子器件
頻率:DC-15GHz
增加收益:22
P1dB(DBM):36.1
PSAT(DBM):37.7
VD(V):28
AM012WN-00-R是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總間距為1.25毫米(mm)。它不是個裸模,可實操達到15千兆赫。它可不可以給予主要表現的37.7 dBm的趨于穩定效率。此一部分符合標準RoHS。
基本特征
可高達15GHz的高頻率的操作
在2GHz時增益控制=22dB
PAE=55%
P5dB=37.7dBm
適用
蜂窩有線信號塔
無線wifi無線局域網、中繼器
C波長VSAT
聲納
測評設備
軍事