AM025WN-00-R一種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總橫向為2.5豪米(3個1.25公分FET串連)。它就是一個裸模,可實際操作多達15千兆赫。它行作為40.5 dBm的基本特征是處于飽和狀態電率。此一些按照RoHS。
優點
可高達15GHz的低頻實操
在2GHz時收獲=21dB
PAE=53%
P5dB=40.5 dBm
軟件
蜂窩手機無線基站天線
移動無線局域網、中繼器
Ck線VSAT
雷達探測
測試英文檢測儀器
軍事戰爭
微波射頻元器件
頻率:DC-15GHz
增益控制:21
P1dB(DBM):38.9
PSAT(DBM):40.5
VD(V):28
AM025WN-00-R一種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總橫向為2.5豪米(3個1.25公分FET串連)。它就是一個裸模,可實際操作多達15千兆赫。它行作為40.5 dBm的基本特征是處于飽和狀態電率。此一些按照RoHS。
優點
可高達15GHz的低頻實操
在2GHz時收獲=21dB
PAE=53%
P5dB=40.5 dBm
軟件
蜂窩手機無線基站天線
移動無線局域網、中繼器
Ck線VSAT
雷達探測
測試英文檢測儀器
軍事戰爭