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AM012WN-BI-R就是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總凈寬為1.25豪米。它是在一名陶瓷圖片雙包控制達到了10千兆赫。BI編使用特俗設計制作的陶瓷廠家封裝，使用嵌到式裝配模式，帶有屈曲（BI-G）或直（BI）絕緣線。封裝下端的法蘭盤同一時間充當直流電源跨接、頻射跨接和熱入口。此那部分完全符合RoHS。

的特征

高至10GHz的低頻操作步驟

增益控制=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz

表明貼裝

有效地水冷散熱的底部

應該用

高靜態考慮器

蜂窩無線數字移動基站

移動寬帶和窄帶調大器

雷達天線

軟件測量儀器設備

國防

打擾器