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微波加熱元電子元件
AM025WN-BI-R是一個種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總高度為2.5mm。它有的是個陶瓷制品芯片封裝，崗位頻段達到了8千兆赫。BI系列產品運用特種方案的衛浴陶瓷封口，運用內嵌式進行安裝措施，有帶彎曲成（BI-G）或直（BI）絞線。封裝類型下端的蝶閥法蘭互相當做直流變壓器接地系統系統、rf射頻接地系統系統和熱緩沖區。此區域達到RoHS。
特征描述
萬代高達8GHz的高頻工作
增加收益=16 dB，P5dB=40 dBm，PAE=52%，漏極=56%@3 GHz
表面層貼裝
有效果風扇散熱的社會底層
應用領域
高靜態接受到器
蜂窩遠程移動通信基站
寬帶網和窄帶放小器
預警雷達
試驗機器設備
日本軍事
不干擾器