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Cree公司的CMPA2560025F是一種種特征提取氮化鎵（GaN）高電子搬遷率晶狀體管（HEMT）的單支微波通信集成式電路設計（MMIC）。與硅或砷化鎵對比，GaN享有高的工作電壓擊穿工作電壓、高的過剩電子漂移速率和高的熱導率。與Si和GaAs晶狀體管對比，GaN-hemt還享有高的輸出高密度和更寬的網絡帶寬使用。這一MMIC含蓋其中這個二級影響匹配好變大器，使如此寬的網絡帶寬使用可能在其中這個小的占路空間空間的上緊封裝類型，享有銅鎢導熱器。

特性?24 dB小走勢收獲?25 W典型案例PSAT?運轉電阻值更是高達28 V?高額定電壓擊穿額定電壓?溫度行駛

用?過寬帶縮放器?光仟驅動包器?檢查醫療儀器?EMC增加器