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EC2612-99F 晶體管

首要參數指標

EC2612-99F 晶體管

頻射速率（GHz）：直流電壓-40增加收益（dB）：9.5低頻噪音公式（dB）：1.5備貨貨期：3-4周

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EC2612-99F基于0.15μm柵極偽晶型高電子遷移率晶體管（0.15μm pHEMT）技術。

澆口橫向為120μm，0.15μm。T形鉿合金平板閘門具備著低電阻功率和經驗豐富的安全可靠性預計。

該電子元件表示出相當高的跨導，然而使得相當高的頻段和低燥聲的性能。

它以單片機芯片表現形式保證，帶異采用孔接觸的源極，僅需影響柵線和漏極線。