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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

重要性參數值

CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管

頻射下行帶寬（GHz）： 1.2-1.4小的信號增加收益（dB）：20電機功率（W）：200各種相關增益控制（dB）： > 14P-1dB輸送（dBm）：-PAE（％）： 52定貨交貨期：3-4周

品牌詳細信息分享

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

是更適合脈沖激光雷達天線軟件應用。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝技術上確立的。它基本概念準MMIC高技術。

它按照密封性能蝶閥法蘭瓷質金屬供電封裝，可展示低寄生菌和低散熱量。