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CHK9013-99F 氮化鎵功率晶體管

必要數據

CHK9013-99F 氮化鎵功率晶體管

Glin（dB）@平率（GHz）： 18 @ 6運行頻繁（GHz）：最大15個趨于穩定工作電壓（W）： 88PAE（％）@頻帶寬度（GHz）： 65 @ 6進貨交貨期：3-4周

產品的情況解釋

CHK9013-99F是85W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該設備為聲納和電信網絡等一些RF開關電源選用打造專用和網絡帶寬解決方法方法。

該電路系統是在SiC襯底上選取0.25μm柵長的GaN HEMT技術工藝打造的。

它以裸存儲芯片結構做出，還有需要外部結構連接電路原理。