CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該護膚品為雷達探測和電信網等多種RF電源適配器應用展示 通用型和聯通寬帶解決處理解決辦法。
它是因為SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技巧開拓的,因此特點適合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006控制臺命令的中規定。
它以裸存儲芯片模式強調,而且都要外面配對電線。
微波通信元電子元器件封裝
CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@頻繁(GHz): 14 @ 6事情頻繁(GHz):頂多6個趨于穩定馬力(W): 20PAE(%)@規律(GHz): 60 @ 6定貨交貨期:3-4周CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該護膚品為雷達探測和電信網等多種RF電源適配器應用展示 通用型和聯通寬帶解決處理解決辦法。
它是因為SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT技巧開拓的,因此特點適合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006控制臺命令的中規定。
它以裸存儲芯片模式強調,而且都要外面配對電線。