CHK8015-99F是一款16W氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產品為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。
該電路設計是在SiC襯底上采用了0.25μm柵極間距的GaN HEMT工藝生產制造的。
它以裸集成塊方式提起,另外都要外邊一致三極管。
紅外光元電子電子元件
CHK8015-99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@的頻率(GHz): 17 @ 9辦公幀率(GHz): 較多18趨于穩定馬力(W): 20PAE(%)@次數(GHz): 68 @ 9備貨交貨時間:3-4周CHK8015-99F是一款16W氮化鎵高電子遷移率晶體管。該產品為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。
該電路設計是在SiC襯底上采用了0.25μm柵極間距的GaN HEMT工藝生產制造的。
它以裸集成塊方式提起,另外都要外邊一致三極管。