CHK8013-99F是14W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該企業產品為雷達天線和5G等所有RF電源開關操作給出常用和移動寬帶解決方法工作方案。
該電路設計是在SiC襯底上選擇0.25μm柵長的GaN HEMT工藝生產制造的。
它以裸IC芯片形態系統闡述,還有就是需要外邊配備電源線路。
微波通信元集成電路芯片
CHK8013-99F 氮化鎵功率晶體管
Glin(dB)@規律(GHz):17 @ 6工做工作頻率(GHz): 自由高達10GHz過剩電機功率(W): 14PAE(%)@頻帶寬度(GHz): 70 @ 6購貨貨期:3-4周CHK8013-99F是14W氮化鎵高電子遷移率晶體管。
該企業產品為雷達天線和5G等所有RF電源開關操作給出常用和移動寬帶解決方法工作方案。
該電路設計是在SiC襯底上選擇0.25μm柵長的GaN HEMT工藝生產制造的。
它以裸IC芯片形態系統闡述,還有就是需要外邊配備電源線路。