所述CHA5266-FAB是在無引線表層上的三級考試單支砷化鎵中工作效率放縮器裝置封好合金瓷器6x6mm2包。
它制作很廣用于從軍事到行業數據通信系統的很廣軟件應用。
該用電線路進行pHEMT技藝生產打造,柵極時長為0.25μm,在的基板的通孔,的空氣橋和電子高技術束柵極夜刻高技術生產打造。
它以適合RoHS的SMD封裝形式出具。
徽波元元件
CHA5266-FAB 放大器– MPA
頻射下行帶寬(GHZ):10-16增益控制(dB):24IP3(dBm):35.5P-1dB輸出電壓(dBm):26輸入輸出工作功率(dBm):27.5購貨交貨期:3-4周所述CHA5266-FAB是在無引線表層上的三級考試單支砷化鎵中工作效率放縮器裝置封好合金瓷器6x6mm2包。
它制作很廣用于從軍事到行業數據通信系統的很廣軟件應用。
該用電線路進行pHEMT技藝生產打造,柵極時長為0.25μm,在的基板的通孔,的空氣橋和電子高技術束柵極夜刻高技術生產打造。
它以適合RoHS的SMD封裝形式出具。