CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路設計分為條件的pHEMT新工藝生產加工:柵極總長度0.25μm,在的基板的通孔,空氣的橋和網上束柵幻影刻。
它以IC芯片方法保證。
紅外光元元器
CHA2190-99F 放大器– LNA
rf射頻下行帶寬(GHZ):20 - 30增益值(dB):15增加收益同軸度(dB):0.5噪聲源指數(dB):2.2P-1dB傷害(dBm):11購貨交貨時間:3-4周CHA2190-99F是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電路設計分為條件的pHEMT新工藝生產加工:柵極總長度0.25μm,在的基板的通孔,空氣的橋和網上束柵幻影刻。
它以IC芯片方法保證。