CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該線路選取準則的pHEMT工藝設備生產:柵極段長度0.25μm,在基材的通孔,水汽橋和電子廠束柵極夜刻。
它以處理芯片主要形式可以提供。
微波加熱元功率器件
CHA2069-99F 放大器– LNA
rf射頻速率(GHZ):16 - 31增益值(dB):22增加收益同軸度(dB):1躁音指數(dB):2.5P-1dB輸入輸出(dBm):10定貨交貨時間:3-4周CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該線路選取準則的pHEMT工藝設備生產:柵極段長度0.25μm,在基材的通孔,水汽橋和電子廠束柵極夜刻。
它以處理芯片主要形式可以提供。