CHA3666-QAG是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電源電路選取標準規范的pHEMT生產工藝生產:柵極段長度0.25μm,進行基材的通孔,的空氣橋和光學束柵北極光刻。
它運用無鉛封裝形式。
微波射頻元功率器件
CHA3666-QAG 放大器– LNA
頻射帶寬的配置(GHZ): 5.8 - 17收獲(dB):21收獲同軸度(dB):0.5躁音指數公式(dB):1.8P-1dB內容輸出(dBm):16備貨貨期:3-4周CHA3666-QAG是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該電源電路選取標準規范的pHEMT生產工藝生產:柵極段長度0.25μm,進行基材的通孔,的空氣橋和光學束柵北極光刻。
它運用無鉛封裝形式。