CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該系統用UMMS 0.25μm功效pHEMT加工制作工藝 創造,具有使用柔性板的通孔和自然空氣橋。
只為簡化法裝設過程中 :
IC芯片的背部同時rf射頻和交流電接地裝置
焊盤和背影均鍍銀,以與共晶基帶芯片黏附做法和熱壓鍵合制作工藝兼容。
微波加熱元電子器件
CHA7114-99F 縮放器– HPArf射頻傳輸速率(GHZ): 8.5-11.5增益值(dB): 20IP3(dBm):-P-1dB傳輸(dBm):-輸入輸出工作效率(dBm):39.8購貨交貨期:3-4周
CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該系統用UMMS 0.25μm功效pHEMT加工制作工藝 創造,具有使用柔性板的通孔和自然空氣橋。
只為簡化法裝設過程中 :
IC芯片的背部同時rf射頻和交流電接地裝置
焊盤和背影均鍍銀,以與共晶基帶芯片黏附做法和熱壓鍵合制作工藝兼容。