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微波射頻元器材
AM030WX-BI-R就是一種分立砷化鎵pHEMT，其總柵極：寬度為3.0豪米。它不是個陶瓷廠家雙包，總共可進行10次千兆赫BI裝封用于專項 設置的淘瓷裝封，用于放入式安轉措施，可能含有屈曲（BI-G）或直（BI）引線。封裝類型底端的法蘭片也充當直流電一定一定接地、rf射頻一定一定接地和熱通路。此部份滿足RoHS。
特征英文
可高達10GHz的中頻控制
增加收益=14dB，P1dB=33dBm，Eff=46%@4GHz
表面層貼裝
有用導熱的底部
應用
移動本地網環路
控制放小器
蜂窩無限電
中繼器
C中波段VSAT
雷達天線