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微波加熱元集成電路芯片
AM010WH2-BI-R是砷化鎵高場相互作用多晶體管BI系統的1有些。HiFET一種那位置配備的高新產品機增加，使用在直流電、大工作效率和光纖寬帶操作。這一那位置的總元器周圍為2豪米（一個1公分的FET結合）。AM010WH2-BI-R專為中電率微波射頻選用而裝修設計，作業頻繁能夠達到12GHz。它也是較大工作效率機的好推動子程序。BI系例通過特別設計的陶瓷制品裝封，通過置于式裝設具體方法，會有拉伸（BI-G）或直（BI）電線。裝封底層的卡箍一起當做交流電跨接極、微波射頻跨接極和熱綠色通道。此部件復合RoHS。
功能
可以達到12GHz的中頻實際操作
高增益值和高電功率，P1dB=30dbm@3.5GHz
外觀貼裝
高效導熱的低層
適用
無線網絡地方環公路網絡
蜂窩移動電通信設備
WLAN、中繼器和超局域網ip
C波長VSAT
雷達探測