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前言-GaN元電子元件封裝具有著與GaAs元電子元件封裝相當的的噪音污染指數公式，時要能擁有至關高的輸人帶動器。下面推薦了2～4GHz(S中k線)Pout～37dBm的GaN低噪音污染調大器(LNA)、1．8～3．5dB噪音污染指數公式(NF)和48～54dBm輸送決定性三階截距點(OIP3)的設計方案。進行將柵極外圍網為2.5mm的輸送級劃分成1.25mm的這三個部件并調整其偏置，不錯從而提供線型耐磨性。偏置這三個FET的差異造成IMD5分量的相位消去和OIP3耐磨性的從而提供。科學試驗畢竟呈現，在AB類柵極偏置和深AB類柵極偏置時，OIP3可從而提供9.5dBm。線型度FOM（OIP3/PDC）也的減少，在較高的噘嘴時達標14。氮化鎵（GaN），S中k線，LNA，線型化，OIP3。

一、引言
GaN HEMT技術正在成為雷達、電子對抗和無線通信應用的首選技術。與傳統技術（GaAs、CMOS、SiGe）相比，GaN器件在微波頻率下具有高的輸出阻抗，因此可以提供非常高的輸出功率、高擊穿和較寬的工作帶寬。GaN器件具有與GaAs類似的噪聲系數，并且能夠承受高輸入功率電平。這消除了常規接收機中使用的限幅器電路的需要。同時，LNA線性度在惡劣環境下對微波接收機是一個挑戰[1]-[2]。本文提出了一種具有高OIP3的線性GaN-LNA。基本的方法是將晶體管分成多個較小的并行柵極，并分別對它們進行偏置。通過獨立地改變每個晶體管的偏壓，可以提高線性度。在以前的工作中，將該技術應用于GaN PA，在中等和高輸出功率電平下觀察到了改進[3]。在本文中，我們將此技術應用于GaN LNA，并看到在較低和更高輸出功率電平的改進。據作者所知，這是首次使用該技術改進GaN LNA的線性度。

二。線性化方法
通過在感興趣的頻率附近向放大器輸入施加雙音信號，模擬電路的線性度。為了獲得具有較好OIP3的電路，其思想是通過相位抵消來降低三階互調產物的功率電平。

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