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描述
AMCOM的AM030MH4-BI-R是雙題材GaAs HIFET的一部電影分。HIFET是區域一致的高新產品機器設備性能的高電流電壓，高瓦數，高波形度和移動寬帶選用。該電子元額定功率器件的總電子元額定功率器件外層為12mm。AM030MH4-Bi-R是為高瓦數微波加熱選用而結構設計構思的，運作頻繁高達模型3GHz。BI題材分為其中一種個性化結構設計構思的陶瓷制品裝封，擁有可以彎曲的或條直線的引線和凸緣裝置策略。裝封側面的蝶閥法蘭而且做為直流電的接地極、微波射頻的接地極和熱路。整個HiFET是符合標淮RoHS標淮的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	511AM030MH4-BI-R RLB	1周	50

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特征
28伏
寬帶部分匹配：直流-2.4GHz
高達3 GHz的高頻操作
高增益：g= 19dB@ 2GHz
高功率：P1dB＝35dBm @ 2.0GHz
高線性度：IP3＝50 dBm @ 2.0GHz
使用于高效水冷散熱的陶瓷廠家封口

應用
寬帶應用
高電壓20～28伏
無線本地環路網絡
個人電腦基站
WLAN、中繼器和超局域網
C波段VSAT
航空電子通信