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?第四代650 V裸片SiC MOSFET

上傳時間段：2025-01-03 16:57:39     閱讀：630

行在業內超出眾導通電阻值和觸點開關材料耗費，會達成佳能和馬力相對密度性能。

Wolfspeed利用3.代650 V SiC MOSFET增高了其增碳硅（SiC）科技上的主導作用道德水準。在更詳細的電量的使用設計中具備身形更小、承重更輕、更快效的電量的使用流量轉化。650 V SiC MOSFET是耐磨性優秀工業生產外接電源、保障器/5G網絡數據電源線、新生物質能電動伸縮車（EV）快充系統設計、全釩液流電池設備、應急方案電源模塊（UPS）和電瓶工作管理程序等實用功能的最加選澤。

特征描述

常溫室內環境的低導通內阻

低鉆入濾波電容

應具不高反相回到的有效穩壓管

繼續溫度調節（Tj=175°C）

MOSFET.png

優勢

經由優化電源開關和互傳損耗費提高了裝置率

保證 高打開頻帶寬度把控

提生控制系統級工作效率密度計算產品參數

拉低試驗裝置規格；重；和冷卻塔的標準

主要表現用途

工業化電源適配器

提供服務器配置/聯通手機網絡

新發熱能源電池新能源充電樁安全裝置

儲熱機械設備（ESS）

應及交流電源（UPS）

電芯經營軟件（BMS）

CREE科銳于2017年離心分離出微波加熱微波射頻品牌標志Wolfspeed，以帶寬、大工作功率調小器產品設備為上海特色。

長沙市立維創展科枝是CREE的供應商商，賦予CREE微波通信配件其優勢供應方式，信譽維持原裝進口正品行貨。

*一些參數需申報USA出口貿易同意。內容了解更多的應用，祝賀資詢立維創展！


Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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