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GTRB246608FC-V1是CREE的一件500瓦（P4dB）的SiC上GaN高電子轉遷率晶狀體管（HEMT），銳意創新于多標淮蜂窩狀工作功率增加器采用供需規劃。GTRB246608FC-V1掌握高使用率率和無軸環的熱加強封裝。

服務規格參數

敘述：高電功率RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

至高的頻率（MHz）：2400

增益值（dB）：15.7

打包封裝品目：Earless

結構特征

其最典型的智能CW性能指標，2400 MHz，48 V，10μs脈沖激光速度，10%占空比，結構打印輸出

P4dB=600 W時的導出電機功率

P4dB=60%時的轉化率

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