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GTRA184602FC是款460瓦（P3dB）GaN-on-SiC HEMT D摸式圖像變成器電路，專業專注于多標蜂窩狀電率圖像變成器電路技術利用利用各種需求制作。其必備條件讀取相匹配、高效益率和無軸環熱促進二極管封裝的基本特性。

的產品金橋銅業跨接線的截面積大小

敘述：高公率RF GaN SiC HEMT，460 W，48 V，1805-1880 MHz

最好幀率（MHz）：1880

增益控制值（dB）：15.5

封裝類屬：Earless

表現形式

進入相匹配

不好稱多爾蒂設計的概念

主：P3dB=170 W標稱值

最快值：P3dB=350W標稱值

常見脈沖信號CW效果：16μs電脈沖概率；10%占空比；2140MHz；48v；多爾蒂治具

增益控制值=15dB@49dBm

吸收率=60%@49 dBm

P3dB=490W時的輸出的公率

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