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WS1A2639-V1-R3K是CREE的四款非對稱軸多赫蒂公率變成器功能模塊（PAM），將GaN on SiC技術水平應用領域和現代化的自動匹配和偏置交流電壓手機網絡ibms在掌握中低端蒸發器模式的幾層層壓基面材料上。WS1A2639-V1-R3K規律范圍圖在2496 MHz至2690 MHz。還有就是動用最多50V的電源開關工作電壓；平均輸出額定功率準則為6至8 W，至高值因素下滑，加數預失確實LTE和5G NR數據庫移動信號，瞬時服務器帶寬高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K封號裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列（LGA）封裝類型中。

企業產品型號規格

敘述：38.5dBmGaN on SiC電機功率圖像功率放大器摸塊；2496-2690MHz

更低頻繁（MHz）：2496

上限幀率（MHz）：2690

P3dB打印輸出耗油率（W）：50

增加收益值（dB）：16.5

高效率（%）：57

載荷系數線電壓（V）：48

封口品類：漆層貼裝

二極管二極管封裝：二極管二極管封裝分立結晶體管

能力使用：SiC上的GaN

特證

GaN基SiC新新技術應用

從功率器件左右側為中心導和最高的人值子放小器要具備柵極偏置直流電壓電源線

一體化化諧波終端門店

無鉛并無法RoHS的標準

推介的動力裝有是WSGPA01

蘇州市立維創展自動化有限責任新公司認證銷售CREE徽波電子器件，假如需購CREE品牌，請點選右邊克服建立聯系你們！！！