亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区

GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦（P3dB）的SiC上GaN高光學遷出率多晶體管（HEMT），應運在多標準規范蜂窩狀熱效率放小器技術工藝應運。GTRB226002FC-V1遵循科學規范化和無軸環的熱增加封裝的形式。

設備規格

談談：SiC HEMT上的高馬力RF GaN 450 W，48 V，2110-2200 MHz

低些頻帶寬度（MHz）：2110

很高頻次（MHz）：2200

P3dB所在馬力（W）：450

增加收益值（dB）：15

速率（%）：60

特征英文

非常典型的激光脈沖CW效果：10μs智能尺寸，10%pwm占空比，2200 MHz，48 V，Doherty治具使用率=65%

增益控制值=14dB

P3dB=450W時的傷害電率

名模建模1B級（據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

低熱導率

無鉛并需求RoHS規格

GaN基SiC HEMT技術水平

東莞市立維創展技術不足集團授權使用經銷處CREE微波加熱電子器件，假如需求購CREE貨品，請點開左側客服中心電話聯系人們！！！