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GTRB204402FC/1是CREE的這款350瓦（P3dB）的SiC上GaN高光電子搬遷率多晶體管（HEMT），著力推進于多細則蜂窩狀電功率調大器技能適用所需設計的概念。GTRB204402FC兼具便捷率和無軸環的熱資料打包封裝。

品牌技術參數

闡明：SiC HEMT上的高輸出功率RF GaN 350 W，48 V，1930-2020 MHz

至少幾率（MHz）：1930

最多的頻率（MHz）：2020

P3dB打印輸出輸出（W）：350

收獲值（dB）：16.3

有的效率率（%）：58

額定電阻（V）：48

芯片封裝行業類型：Earless

裝封形式：裝封形式分立多晶體管

技能：SiC上的GaN

基本特征

一般的脈沖激光CW功效，2020 MHz，48 V，10μs脈沖激光：寬度，10%pwm占空比，組成模擬輸出

P3dB=350W時的輸出的工率

P3dB時的高質量率=65%

中國女模仿真模型1C級（依據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

無鉛并夠滿足RoHS細則

西安市立維創展科技集團現有集團許可生產商CREE微波加熱電子元器件，若是需求購CREE企業產品，請打開網頁左邊電話客服鏈接咱們！！！