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PXAE263708NB-V1是CREE的一類400瓦（P3dB）LDMOS FET，運用于2620至2690 MHz頻段的多規定蜂窩狀工作效率圖像放大電路枝術軟件應用。涉及到讀取讀取適用；高增益值和具備有無突緣的熱開展二極管封裝結構。PXAE263708NB-V1通過差異化的的LDMOS工藝設計技術性；PXAE263708NB-V1享有不錯的熱穩定可靠性和出色的人身設計安全系數指標。

成品要求

表述：高熱效率RFLDMOS FET400W（P3dB）；28v；2620-2690MHz

低些頻繁（MHz）：2620

極限速度（MHz）：2690

P3dB效果輸出（W）：400

增益值（dB）：13.5

高效率（%）：47

功率電阻值（V）：28

芯片封裝行業類型：可塑料

封口類型：封口類型方式分立氯化鈉晶體管

工藝：LDMOS

特殊性

寬帶網外部鍵入所在兼容性測試

非呈對稱性Doherty設計構思：主P1dB=140W典例值；是最高的值P1dB=260 W非常典型值

典型示范的單脈沖CW的特點；2655MHz；28v；多爾蒂構型；AB類：P1dB=200W時的傷害最大功率；P3dB=400W時的的輸出額定功率；成功率=49%（POUT=57 W標準差）；增加收益=15 dB（POUT=57 W平均值）

并能處里32 V時10:1的VSWR；100 W（CW）輸入輸出輸出

智能家居控制化ESD保護的

無鉛并實現RoHS基準

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