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GTRA262802FC是CREE的250瓦（P3dB）GaN on SiC 高耗油率RF GaN變小器，APP于多準則蜂窩狀工率變小器技藝APP。GTRA262802FC有設置替換、高質量率和無軸環熱資料芯片封裝的的特點。

品種性能

敘述：SiC HEMT的高馬力RF GaN 250 W；48v；2490-2690MHz

最底聲音頻率（MHz）：2490

非常高頻帶寬度（MHz）：2690

P3dB輸出電壓工作電壓（W）：250

增益值值（dB）：14

高效率（%）：54

特殊交流電壓（V）：48

芯片封裝類別：Earless

封裝類型形式：封裝類型形式分立多晶體管

方法利用：SiC的GaN

顯著特點

?GaN-on-SiC HEMT技術水平應該用

?發送適應

?先進典型的脈沖信號CW機械性能，2605 MHz，48 V，搭配組合所在，16μs脈沖信號大小，10%pwm占空比

-P3dB=250W時的輸送瓦數

-效果=62%

-增益控制值=14.4 dB

?同時在48 V、38 W（CW）效果公率下操作的10:1 VSWR

?模特兒模形1A級（會根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低傳熱系數

?無鉛并具備RoHS標準規范

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