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CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D玩法圖像調小電路，應在多標準的蜂窩狀瓦數圖像調小電路科技用。GTVA261802FC-V1配備復制粘貼適用、有速率和無軸環熱提升封裝形式的性狀。

產品的樣式

詮釋：SiC HEMT上的高熱效率RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

最小概率（MHz）：2620

最高的聲音頻率（MHz）：2690

P3dB內容輸出瓦數（W）：170

增加收益值（dB）：16.8

高速率的率（%）：43

額定交流電壓（V）：48

封裝類型等級分類：Earless

裝封：裝封分立氯化鈉晶體管

技術性：SiC上的GaN

特征描述

?GaN-on-SiC HEMT技術水平

?讀取兼容性測試

?主要的脈沖發生器CW功能，組合式輸入，

2690 MHz，48 V，10μs激光脈沖厚度，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的輸入輸出工率

-P3dB時的漏不低錯誤率=65.5%

-P3dB=15dB時的收獲值

?還可以來完成48 V、180 W（CW）輸出的最大功率下10:1的VSWR

?女模特建模 1A級（按照其ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低導電比率

?無鉛并滿意RoHS條件

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