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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT就是種網絡帶寬納米線管手機元器件，面對DC-3.5 GHz作業完成了改進。該元器件支持系統CW，輸入脈沖和曲線作業，傳輸馬力為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150更加可使用于國防安全網絡通訊，大陸中國電信wifi電，國際航空手機環保設備，wifi基礎上的設施，ISM技巧應用和VHF / UHF / L / S中波段聲納。運用SIGANTIC®的工藝打造 - 屬于專有的GaN-on-Silicon技巧。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是亞洲僅有全家人高制作工藝選用于rf射頻高制作工藝選用的GaN on Si高制作工藝產生商。你們在Si RF公率晶胞管好企業商品上展示 大量的連繼波（CW）GaN，最為分立整合電路芯片和模快，設汁崗位在DC至6 GHz。你們的高公率CW和線型晶胞管是商用飛機維修光學機械設備，互聯網通信，互聯網，長脈沖激光聲納和行業，科學學和醫院高制作工藝選用的很理想使用。你們的好企業商品組合利用了MACOM不低于60年的傳統化，所有用GaN on Si高制作工藝展示 要求和定制開發來解決措施，以需要滿足加盟商最嚴格的需要。你們的GaN on Silicon好企業商品，通過分立晶胞管和整合圖像電壓放大器，通過0.52umHEMT制作工藝，在公率，收獲，收獲平緩度，質量方位表面出市場大的的RF的性能，