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?GTRB266502FC S中波段高工率RF GaN基SiC縮放器CREE

發布信息耗時:2024-10-25 17:07:29     觀看:662

CREE縮放器GTRB266502FC是款630 W(P3dB)S波長高電率RF GaN基SiC縮放器,強院于多準則蜂窩狀供電利用需要設計的。GTRB266502FC應具高效性率和無環槽的熱強化二極管封裝數值。

GTRB266502FC.png

特殊性

?GaN on SiC方法

?投入輸出電壓替換

?錯誤稱的設計:

主:P3dB=297 W

是最高的值:P3dB=416W

?電脈沖CW性指標英文:2690 MHz,48 V,10μs脈寬:寬度,10%pwm占空比,搭配組合模擬輸出

?傷害輸出最大功率@P3dB=630 W

?P3dB時的效應=67%

?低熱導率

?夠滿足RoHS規范

軟件

?蜂窩狀電

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