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　　CREE CGH35060P2是一款專為高效率設計的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。這款晶體管具有高增益和寬帶寬能力，特別適合在3.1至3.5 GHz的S波段進行脈沖放大器應用。它采用了陶瓷/金屬法蘭和藥丸封裝，確保了其在特定應用中的可靠性和穩定性。

　　主要特征：

　　操作使用頻繁面積：3.3至3.6 GHz　　頂值工作電壓本事：60W　　小預警增益控制：12 dB　　在8瓦傳輸時的差值向量波動(EVM)：< 2.0%　　在8瓦輸送時的排水障礙能力：25%　　運用：WiMAX穩定連入(802.16-2004 OFDM)和WiMAX中國移動連入(802.16e OFDMA)

　　技術規格：

　　部件編碼：CGH35060P2　　簡述：60瓦，3100至3500兆赫，28V氮化鎵HEMT　　不大頻率：3100 MHz　　明顯頻點：3500 MHz　　基線所在最大功率：60W　　收獲：12.0 dB　　轉化率：60%　　工作上直流電壓：28V　　芯片封裝行式：分立多晶體管，法蘭盤、丸　　技術性：GaN-on-SiC(氧化硅基氮化鎵)　　CGH35060P2多晶胞管因為其有工作效率率和操作作高頻使用的性，在有線通信系統的和聲納系統的等高耐腐蝕性操作中表面出眾的。其氮化鎵水平可以提供了遠低于傳統文化硅基多晶胞管的耐腐蝕性，有點是在高和緩壓力區域環境下。

南京市立維創展科技信息是CREE的銷售商，存在CREE徽波元器件優勢可言供貨商業務，并長時貨存現貨黃金，以作國內賣場需要。