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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT兼備高模擬內容輸出電機工作電壓高密度和網絡帶寬寬下的有學習效率。但GaN HEMT的直線度一般來說比GaAs配件的直線度差。這段話推出一堆種簡略的技術來調節GaN HEMT的直線度。所推出的技術是將配件拆成與獨立性控制的柵極偏置內容輸出工作電壓并接的數個子模快，以后上下聯模快模擬內容輸出來進行電機工作電壓組合成。

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