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　　CREE的CMPA5585025F是一款基于氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。相比硅或砷化鎵，GaN具有更高的性能，包括更高的擊穿電壓、更高的飽和電子漂移速度和更高的導熱性。與Si和GaAs晶體管相比，GaN HEMT提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該MMIC采用10引線金屬/陶瓷法蘭封裝，具有最佳的電氣和熱性能。

　　特性：

Typical Performance Over 5.8-8.4 GHz(T?=25G）：

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