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UMS微波射頻CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可為各種射頻功率應用提供多功能寬帶解決方案。該產品在SiC襯底上采用GaNHEMT技術制造，確保了優異的性能和可靠性。

單晶體管以裸晶片組織形式供給，所需 外部連接電路設計的才行積極主動揮發其潛質。雖然，真是這設計的作用賦予了了CHK5010-99F極為豐富的特點和多的應該用潛質。主要的特別也包括其很棒的帶寬作用，支持軟件高達到12 GHz的單脈沖和連繼波運作。根據GaN方法，該來設計可達到高輸入輸出和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時達到最合適機械性能。另外，該ibms電路芯片有著0.90x0.80x0.1mm的緊奏型寸尺，即便在受限制的區域中也能夠 簡單ibms。除其非凡的耐熱性，CHK5010-99F還貼合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006要求，保證優質和平安。這讓用戶數在取舍和應用產品時貼心，而并非擔憂成對條件的不良印象印象。換句話說，CHK5010-99F是款劃得來誠懇的耐腐蝕性指標GaN單晶體管，兼有大面積的適用和漂亮的功能表。其從未有過之春感觸頗深的耐腐蝕性指標和合乎業內標準規定使其變為微波射頻電機功率適用的靠得住采用，為該領域行業開創了新的已經性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

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