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CMPA1C1D060D是款炭化硅單晶硅上依照氮化鎵 (GaN) 高電子設備遷出率納米線管 (HEMT) 的單支徽波集成式電路設計 (MMIC)；CMPA1C1D060D利用0.25 μm柵極長度定制工序。與硅相比之下較，GaN-on-SiC都具有更多優等的特點；砷化鎵或硅基氮化鎵；其中包含極高的的損壞場強；極高的的飽滿自動化漂移熱效率和極高的的傳熱性數值。

優點

擁有 26 dB 小數據信息收獲值

60 W 典例 PSAT

額定的電流高至 40 V

高穿透場強

高溫度控制

采用行業領域

PTP wlan流量

遙感衛星電力上行速率鏈接

物品樣式

詳情：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 額定功率增加器

最小規律(MHz)：12700

是最高的工作頻率(MHz)：13250

最多值輸出精度電率(W)：65

增加收益值(dB)：26.0

效果（％）：30

額定容量端電壓(V)：40

經濟模式：MMIC 裸片

封裝類型品目：Die

科技應運：GaN-on-SiC