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CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵相比較，GaN具有更加優異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式，能夠實現最好電力設備和熱穩定性。

本質特征

7.9–8.4GHz業務

80WPOUT（主要值）

>13dB工作效率增益控制值

33%典型性線性網絡PAE

50Ω組織結構配

<0.1dB額定功率較低

APP科技領域

小行星通信網絡

地表聯通寬帶

企業產品的規格

闡述：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；錄入/傳輸配合GaNHEMT

更低概率(MHz)：7900

最大平率(MHz)：8400

極高值打出瓦數(W)：50

增益值值(dB)：13.0

質量（％）：33

額定負載工作電壓(V)：40

主要表現形式：封裝表現形式主要表現形式分立硫化鋅管

封裝類型的形式專業類別：法蘭盤盤

方法選用：GaN-on-SiC