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CGHV50200F是種專做構思用在高效化氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）；高增益和寬帶寬性能；從而使得CGHV50200F成為了對流層光學散射通訊的最佳選擇；4.4-5.0GHzC頻率段衛星通訊應用與超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭封裝形式。

基本特征

4.4–5.0GHz辦公

180W種類PSAT

11.5dB一般電機功率增加收益值

48%分類24v電源的效率

50Ω內層兼容

適用業務領域

小行星聯系

掌控視眼——BLOS

形成對流層光電器件散射電力

產品規格

描寫：200瓦；4400-5000MHz；50Ω輸人/輸出精度支持；氮化鎵高電子器材轉化率氯化鈉晶體管

很低頻帶寬度(MHz)：4400

最多頻率(MHz)：5000

最大值傷害最大功率(W)：200

增加收益值(dB)：11.5

工作上高效率（％）：33

載荷系數直流電壓(V)：40

方式：裝封方式分立單晶體管

封口類別:卡箍盤

方法APP：GaN-on-SiC