亚洲一区二区三区在线-欧美一二区-欧美亚洲一区-欧美激情一区

CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高手機變更率多晶體管(HEMT)。有前所未變的輸進，都可以在DC-2.0GHz范圍范圍內范圍內給予做好的的瞬時帶寬耐腐蝕性。與硅或砷化鎵想必較，CGHV40180存在變得更加不錯的性能參數；屬于更大的電壓擊穿場強；更大的飽合智能電子漂移時速與更大的導電公式。與Si和GaAs結晶體管想必較，CGHV40180還帶來越高的耗油率硬度和更寬的服務器帶寬。CGHV40180使用的2絞線金屬件/瓷器法蘭部盤和藥丸式芯片封裝，要改變最好是電氣公司和熱穩定的性。

特性

輸人不匹配

180W(CW)最低值效率

250W經典瓦數

24dB非常典型小數字信號增益控制值

28V和50V應用

應用軟件科技領域

雷達測探測探

社區醫療保鍵

移動寬帶拖動器

數據大數據安全的VHF-UHF

航空航天國防通信設備設備

企業產品技術參數

描寫：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高智能電子知識率單晶體管

很低的頻率(MHz)：0

極限頻繁(MHz)：2000

最高的人值模擬輸出熱效率(W)：200

收獲值(聲音頻率)：24.0

生產率（％）：70

穩定電壓降(V)：27

結構類型：打包封裝分立氯化鈉晶體管

二極管封裝種類：活套法蘭盤、丸狀

技能采用：GaN-on-SiC