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CREE的CGHV96130F是炭化硅(SiC)基本材料上的氮化鎵(GaN)高移動率晶胞管(HEMT)與其他技術性想必，CGHV96130F企業內部適應能力(IM)FET兼有優異的工作功率增添速率。與砷化鎵好于，GaN還具有更強的特點；具有會高的穿透場強；會高的飽和點微電子漂移訪問速度和會高的熱導率。與GaAs單晶體管相對比，GaN HEMT還具有著更高些的最大功率強度和更寬的上行帶寬。CGHV96130F運行輕金屬/瓷磚卡箍打包封裝應該改變極佳的電和熱穩定可靠性。

癥狀

166WPOUT（一般值）

7.5dB效率增加收益值

42%典范PAE

50Ω內部管理支持

<0.3dB瓦數減退

服務標準

陳述：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；大部分于X頻譜雷達探測運用的投入/輸出電壓支持GaNHEMT

最窄的頻率(MHz)：8400

較大平率(MHz)：9600

最底值打印輸出輸出(W)：130

率（％）：42

額定的輸出功率(V)：40