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Electro-Photonics保證Q3XG-1500R的3dB90分層耦合電路器運用小芯片封裝，插進不足低，瓦數功率大。Q3XG-1500R混合著交叉耦合器常用到窄帶和帶寬輸出增加器技術操作。

Q3XG-1500R交叉耦合器是以永磁鐵的，主要適用于于MRI技能應用領域。Dragon解耦器在美國制作制做，能夠滿足RoHS和REACH規則。

Q3XG-1500R的基準里層治理 是浸錫。可采用需要作為催化鍍鎳和浸金(ENIG)。

癥狀

1000–2000MHz

低損耗率

高底部隔離度

嚴厲的波幅取舍

90度正交

外觀貼裝技巧

CTE替換

L中波段

卷帶選澤

考評板722-0006-03-E01

外形尺寸

要求：0.560x0.3505英寸

的工作概率：1000-2000MHz

固定熱效率：85瓦

導入耗率：0.18dB

藝術平衡點：±.55

分隔度：24dB

駐波比：1.18

相位失衡：±3